IRF1010ESTRLPBF دیتاشیت

IRF1010ESTRLPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF1010ESTRLPBF
حجم فایل 77.292 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IRF1010ESTRLPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF1010ESTRLPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 130nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3210pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 84A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,50A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه